Intel разработала дешевый фотодиод на основе кремния

Подложка экспериментальных лавинных фотодиодов Intel. Фото с сайта fibresystems.org

Как правило, в кремниевой фотонике используются достаточно редкие и дорогие материалы. Например, фосфид индия и арсенид галлия. Представители Intel сумели создать APD на основе дешевого кремния и германия.

Кроме того, фотоприемник на основе нового APD Intel оказался мощнее аналогов. Это позволит, в частности, увеличить расстояние, на которое может быть передана информация с его помощью.

В настоящее время опытный образец лавинного фотодиода Intel позволяет передавать информацию на скорости до 40 гигабит в секунду, что в два-три раза выше скорости передачи данных аналогичных устройств. Максимальная скорость передачи данных, которую смогли достигнуть инженеры Intel, экспериментируя с новым APD, составила 200 гигабит в секунду.

В разработке лавинного фотодиода на основе кремния, помимо Intel, принимали участие компания Numonyx, управление перспективного планирования оборонных научно-исследовательских работ США, а также Университеты штатов Виргиния и Калифорния.

Ожидается, что развитие кремниевой фотоники позволит заменить металлические соединения чипов на световые. Это несколько раз увеличит скорость передачи информации. Одной из перспективных областей для использования кремниевой фотоники являются суперкомпьютеры.